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  測試服務

本測試實驗室提供專業的半導體特性評估,包括靜態特性、動態特性和熱特性。除提供建模測試數據和制作分立器件規格書外,我們還能完成一些特殊的測試項目,諸如TVS器件的S21、MOSFET器件的dv/dt和三極管的fT。鑒于各家客戶的需求難以統一,我們會在充分評估項目的難度和工時后給出正式報價。

本測試實驗室可提供的服務項目參見表一、表二和表三。

表一  二極管相關測試項目

測試類別

測試項目

 

參數

符號

電性能參數

靜態參數

正向電壓

VF

1.        可提供高低溫(-40 200)測試結果

2.        可提供測試曲線或波形

3.        DC類:Imax=400A、Vmax=3000V

4.        AC類:Imax=1000A、Vmax=1200V

反向漏電

IR

反向擊穿電壓

VBR

正向平均電流

IFAV

動態參數

結電容

CJ

反向恢復時間相關參數

Trr/Ta/Tb/S

反向恢復峰值電流

Irm

反向恢復電荷

Qrr

電壓變化率

dv/dt

熱性能參數

耗散功率

PD

 

結到環境熱阻

Rthj-a

 

結到殼熱阻

Rthj-c

根據封裝不同,可能為j-l

其他特殊參數

插入損耗

S21

 

箝位電壓

Vc

8/20μs10/1000μs

動態電阻

RDYN

TLP測試

單脈沖雪崩能量

EAS

 

 

表二  三極管相關測試項目

測試類別

測試項目

 

參數

符號

電性能參數

靜態參數

各類擊穿電壓

V(BR)CEO/V(BR)CBO/V(BR)EBO

1.        可提供高低溫(-40 200)測試結果

2.        可提供測試曲線或波形

3.        DC類:Imax=400A、Vmax=3000V

4.        AC類:Imax=1000A、Vmax=1200V

各類漏電

ICEO/ICBO/IEBO

靜態電流增益

hFE

基極-發射極導通電壓

VBE(on)

各種飽和壓降

VBEsat/VCE(sat)

動態參數

各類電容

Cobo/Cibo/Cre

延遲時間

Td

上升時間

Tr

存儲時間

Ts

下降時間

Tf

熱性能參數

耗散功率

PD

 

結到環境熱阻

Rthj-a

 

結到殼熱阻

Rthj-c

 

其他特殊參數

增益帶寬積(特征頻率)

fT

 

插入功率增益

S21e2

 

噪聲系數

NF

高頻

 

表三  MOSFET/IGBT相關測試項目

測試類別

測試項目

 

參數

符號

電性能參數

靜態參數

各類擊穿電壓

V(BR)DSS/V(BR)GSS

1.        可提供高低溫(-40200℃)測試結果

2.        可提供測試曲線或波形

3.        DC類:Imax=400A、Vmax=3000V

4.        AC類:Imax=1000A、Vmax=1200V

5.        符號上IGBTVDMOS之間的替換關系:

C(集電極)=D(漏極);E(發射極)=S(源極)

各類漏電

IDSS/IGSS

柵極閾值電壓

VGSth

導通電阻

RDS(on)

飽和壓降

VCE(sat)

二極管正向壓降

VSD/VF

動態參數

正向跨導

Gfs

柵極電阻

Rg

輸入、輸出、反向轉移電容

Ciss/Coss/Crss

有效輸出電容

Coer/Cotr

開關時間

Td(on)/Tr/Td(off)/Tf

導通損耗

Eon/Eoff

反向恢復時間相關參數

Trr/Ta/Tb/S/Irrm/Qrr

柵極電荷

Qg/Qgs/Qgd

短路電流、漏極脈沖電流

Isc/IDM

熱性能參數

耗散功率

PD

結到環境熱阻

Rthj-a

結到殼熱阻

Rthj-c

其他特殊參數

單脈沖雪崩能量

EAS

說明:TOSMD有夾具,其他封裝需要制作配套夾具(費用另計)。

 

聯系方式:

聯系人:馬先生

TEL0571-86714088-75546

Emailmaqinyang@silanic.com.cn

 

 
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